العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTN200N10L2
IXTN200N10L2
IXTN200N10L2
رقم القطعة:
IXTN200N10L2
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
20069 Pieces
ورقة البيانات:
IXTN200N10L2.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTN200N10L2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTN200N10L2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTN200N10L2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 3mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-227B
سلسلة:Linear L2™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:11 mOhm @ 100A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):830W (Tc)
التعبئة والتغليف:-
حزمة / كيس:SOT-227-4, miniBLOC
اسماء اخرى:624413
Q5211084
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTN200N10L2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:23000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:540nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 178A 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:178A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTN200N10L2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTN22N100L Image IXTN22N100L IXYS MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227 تحقيق
IXTN200N10T Image IXTN200N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227 تحقيق
IXTN210P10T Image IXTN210P10T IXYS MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227 تحقيق
IXFR10N100Q Image IXFR10N100Q IXYS MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247 تحقيق
FDMS7680 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 14A POWER56 تحقيق
STI42N65M5 Image STI42N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK تحقيق
TK40P04M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A تحقيق
IRFZ46ZL Image IRFZ46ZL Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 51A TO-262 تحقيق
MCH3383-TL-W Image MCH3383-TL-W ON Semiconductor MOSFET P-CH 12V 3.5A SC70FL تحقيق
STP60NF03L Image STP60NF03L STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 60A TO-220 تحقيق
FDMS2672 Image FDMS2672 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56 تحقيق
IPL65R650C6SATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 8TSON تحقيق
PSMN027-100XS,127 Image PSMN027-100XS,127 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 23.4A TO220F تحقيق
APTM50SKM19G Microsemi Corporation MOSFET N-CH 500V 163A SP6 تحقيق
IXTN21N100 Image IXTN21N100 IXYS MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B تحقيق
PSMN2R2-40PS,127 Image PSMN2R2-40PS,127 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB تحقيق

Latest الأخبار