يشترى IXTN200N10L2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTN200N10L2
- رقم القطعة:
- IXTN200N10L2
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 20069 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTN200N10L2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTN200N10L2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTN200N10L2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 3mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-227B |
| سلسلة: | Linear L2™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 11 mOhm @ 100A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 830W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | - |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4, miniBLOC |
| اسماء اخرى: | 624413 Q5211084 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTN200N10L2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 23000pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 540nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 178A 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 178A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTN200N10L2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTN22N100L | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227 | تحقيق |
|
IXTN200N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227 | تحقيق |
|
IXTN210P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227 | تحقيق |
 |
IXFR10N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
FDMS7680 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 14A POWER56 | تحقيق |
 |
STI42N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK | تحقيق |
 |
TK40P04M1(T6RSS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A | تحقيق |
 |
IRFZ46ZL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 51A TO-262 | تحقيق |
 |
MCH3383-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 3.5A SC70FL | تحقيق |
 |
STP60NF03L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 60A TO-220 | تحقيق |
 |
FDMS2672 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56 | تحقيق |
 |
IPL65R650C6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TSON | تحقيق |
 |
PSMN027-100XS,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 23.4A TO220F | تحقيق |
 |
APTM50SKM19G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 163A SP6 | تحقيق |
|
IXTN21N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B | تحقيق |
 |
PSMN2R2-40PS,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers