العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTA06N120P
IXTA06N120P
IXTA06N120P
رقم القطعة:
IXTA06N120P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17703 Pieces
ورقة البيانات:
IXTA06N120P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA06N120P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA06N120P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTA06N120P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 50µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-263 (IXTA)
سلسلة:PolarVHV™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:32 Ohm @ 300mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):42W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:617329
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTA06N120P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:270pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:13.3nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 1200V (1.2kV) 600mA (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1200V (1.2kV)
وصف:MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:600mA (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTA06N120P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTA08N50D2 Image IXTA08N50D2 IXYS MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK تحقيق
IXTA08N120P Image IXTA08N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263 تحقيق
IXTA02N250HV Image IXTA02N250HV IXYS MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 تحقيق
SVD2955T4G Image SVD2955T4G ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 12A DPAK تحقيق
IRL530NSTRR Image IRL530NSTRR Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK تحقيق
IRLU3103PBF Image IRLU3103PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK تحقيق
IRF5210L Image IRF5210L Infineon Technologies MOSFET P-CH 100V 40A TO-262 تحقيق
2SK4066-DL-1E Image 2SK4066-DL-1E ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 100A تحقيق
IXTA05N100 Image IXTA05N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263 تحقيق
IXTA02N450HV Image IXTA02N450HV IXYS MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263 تحقيق
IXTA05N100HV Image IXTA05N100HV IXYS MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263 تحقيق
IXTA08N100D2 Image IXTA08N100D2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK تحقيق
IXTA02N250 Image IXTA02N250 IXYS MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 تحقيق
FDMS8880 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 13.5A POWER56 تحقيق
BSP171PE6327 Image BSP171PE6327 Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 تحقيق
HUFA76429D3 Image HUFA76429D3 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 20A IPAK تحقيق
SI1304BDL-T1-GE3 Image SI1304BDL-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 0.9A SC-70-3 تحقيق
IXTA08N100P Image IXTA08N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263 تحقيق
SUM110P08-11L-E3 Image SUM110P08-11L-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 80V 110A D2PAK تحقيق
STL23NM50N Image STL23NM50N STMicroelectronics MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8 تحقيق

Latest الأخبار