يشترى IXTA02N250 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTA02N250
- رقم القطعة:
- IXTA02N250
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19725 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTA02N250.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTA02N250 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTA02N250 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263 (IXTA) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 450 Ohm @ 50mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 83W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXTA02N250 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 116pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 7.4nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 2500V (2.5kV) 200mA (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 2500V (2.5kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 200mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTA02N250
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTA08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK | تحقيق |
|
IXTA02N250HV | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 | تحقيق |
|
IXTA02N450HV | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263 | تحقيق |
|
IXTA06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263 | تحقيق |
 |
IXFA34N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 34A TO-263 | تحقيق |
 |
FDMC6296 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11.5A LL 8MLP | تحقيق |
 |
ZVNL120ASTOB | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 | تحقيق |
 |
AON6404A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 25A DFN5X6 | تحقيق |
|
IXTA05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263 | تحقيق |
|
IXTA08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263 | تحقيق |
 |
PHD16N03T,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK | تحقيق |
 |
SI4892DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC | تحقيق |
|
IRF540A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 28A TO-220 | تحقيق |
|
IXTA08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263 | تحقيق |
 |
IXTA05N100HV | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263 | تحقيق |
|
IXTA08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers