IXFX27N80Q
IXFX27N80Q
رقم القطعة:
IXFX27N80Q
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15461 Pieces
ورقة البيانات:
IXFX27N80Q.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFX27N80Q ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFX27N80Q عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFX27N80Q مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 4mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PLUS247™-3
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:320 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):500W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFX27N80Q
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:7600pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:170nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 800V 27A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):800V
وصف:MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:27A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات