يشترى IXFX200N10P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFX200N10P
- رقم القطعة:
- IXFX200N10P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15383 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFX200N10P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFX200N10P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFX200N10P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 8mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS247™-3 |
| سلسلة: | HiPerFET™, PolarP2™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 7.5 mOhm @ 100A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 830W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFX200N10P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 7600pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 235nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 200A (Tc) 830W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 200A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFX200N10P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFX24N90Q | IXYS | MOSFET N-CH 900V 24A PLUS 247 | تحقيق |
|
IXFX250N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX210N17T | IXYS | MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX26N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX26N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX27N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247 | تحقيق |
|
IXFX24N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 24A PLUS247-3 | تحقيق |
|
IXFX20N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX26N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247 | تحقيق |
|
IXFX20N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFX24N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX260N17T | IXYS | MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX26N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 26A PLUS 247 | تحقيق |
|
IXFX240N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 240A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX21N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247 | تحقيق |
|
IXFX230N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX220N17T2 | IXYS | MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247 | تحقيق |
|
IXFX21N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 21A PLUS247-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers