IXFH58N20
IXFH58N20
رقم القطعة:
IXFH58N20
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12365 Pieces
ورقة البيانات:
IXFH58N20.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFH58N20 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFH58N20 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFH58N20 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 4mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247AD (IXFH)
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:40 mOhm @ 29A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):300W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFH58N20
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:4400pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:220nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 200V 58A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):200V
وصف:MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:58A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات