يشترى IPB240N03S4LR8ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPB240N03S4LR8ATMA1
- رقم القطعة:
- IPB240N03S4LR8ATMA1
- وصف:
- MOSFET N-CH TO263-7
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14529 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPB240N03S4LR8ATMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB240N03S4LR8ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB240N03S4LR8ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.2V @ 230µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO263-7-3 |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 0.76 mOhm @ 100A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 300W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| اسماء اخرى: | SP000952928 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IPB240N03S4LR8ATMA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 26000pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 380nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 240A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH TO263-7 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 240A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPB240N03S4LR8ATMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PMV30UN,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23 | تحقيق |
 |
IPB240N03S4LR9ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 | تحقيق |
 |
FQPF28N15 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 16.7A TO-220F | تحقيق |
|
IPB240N04S4R9ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 | تحقيق |
 |
IRFPC40 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-247AC | تحقيق |
|
IPB240N04S41R0ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-7 | تحقيق |
 |
CSD17575Q3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON | تحقيق |
 |
IPA60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3 | تحقيق |
 |
R6024ENX | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 24A TO220 | تحقيق |
 |
IRFS23N20DTRRP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK | تحقيق |
 |
IXTH32N65X | IXYS | MOSFET N-CH 650V 32A TO-247 | تحقيق |
 |
IRF3711ZCL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 92A TO-262 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers