يشترى IXFB30N120P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFB30N120P
- رقم القطعة:
- IXFB30N120P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12466 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFB30N120P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFB30N120P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFB30N120P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 6.5V @ 1mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS264™ |
| سلسلة: | HiPerFET™, PolarP2™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 350 mOhm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1250W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-264-3, TO-264AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFB30N120P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 22500pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 310nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1200V (1.2kV) 30A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS264™ |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFB30N120P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFH5106TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 21A 8-PQFN | تحقيق |
 |
IXFB300N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264 | تحقيق |
 |
IXFB30N120Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264 | تحقيق |
 |
MGSF1N03LT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 | تحقيق |
 |
PMPB48EP,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN | تحقيق |
 |
FDP090N10 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 75A TO-220 | تحقيق |
 |
SI4833ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC | تحقيق |
 |
NTMFS4962NFT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V SO8FL | تحقيق |
 |
SUD50N03-16P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V TO252 | تحقيق |
 |
IPD60R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 | تحقيق |
|
IXFB38N100Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264 | تحقيق |
 |
IRFH5302TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN | تحقيق |
 |
SIA477EDJT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6 | تحقيق |
 |
FDD10N20LZTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3 | تحقيق |
 |
CA/JCOP/MF4K/4B-UZ | NXP USA Inc. | CA/JCOP/MF4K/4B-UZ | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers