يشترى IXFB38N100Q2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFB38N100Q2
- رقم القطعة:
- IXFB38N100Q2
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13690 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFB38N100Q2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFB38N100Q2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFB38N100Q2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5.5V @ 8mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PLUS264™ |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 250 mOhm @ 19A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 890W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-264-3, TO-264AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFB38N100Q2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 13500pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 250nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1000V (1kV) 38A (Tc) 890W (Tc) Through Hole PLUS264™ |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1000V (1kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 38A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFB38N100Q2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SUP70040E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB | تحقيق |
 |
PSMN013-100PS,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 68A TO220AB | تحقيق |
 |
IPD320N20N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3 | تحقيق |
 |
BUK663R5-30C,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | تحقيق |
 |
PSMN4R0-30YLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK | تحقيق |
 |
IRFD014 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP | تحقيق |
 |
NTLUS3C18PZTBG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN | تحقيق |
 |
CSD18532NQ5B | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 22A 8VSON | تحقيق |
 |
IXFR26N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
STL120N2VH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT56 | تحقيق |
 |
IRF520NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK | تحقيق |
 |
IXFB30N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264 | تحقيق |
 |
IXFB30N120Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264 | تحقيق |
 |
JANTXV2N6764T1 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 100V 38A | تحقيق |
|
94-2310 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK | تحقيق |
 |
2SK4210 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 10A TO-3PB | تحقيق |
 |
TPCA8052-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 20A 8SOP | تحقيق |
|
IXFB300N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264 | تحقيق |
 |
IXKP20N60C5 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB | تحقيق |
 |
5HN01M-TL-E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers