يشترى IXFA130N10T2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFA130N10T2
- رقم القطعة:
- IXFA130N10T2
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19777 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFA130N10T2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFA130N10T2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFA130N10T2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 1mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263 (IXFA) |
| سلسلة: | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 9.1 mOhm @ 65A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 360W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFA130N10T2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 6600pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 130nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 130A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 130A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFA130N10T2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFA16N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 16A TO-263AA | تحقيق |
|
IXFA16N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK | تحقيق |
|
IXFA130N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK | تحقيق |
|
IXFA14N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK | تحقيق |
 |
IXFE36N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 33A ISOPLUS227 | تحقيق |
 |
FDZ204P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 4.5A BGA | تحقيق |
|
IXFA110N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK | تحقيق |
|
IXFA10N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK | تحقيق |
|
IXFA10N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 10A TO-263 | تحقيق |
|
IXFA180N10T2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA | تحقيق |
|
IXFA14N85XHV | IXYS | MOSFET N-CH 850V 14A TO263-3 | تحقيق |
|
IXFA18N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA | تحقيق |
|
IXFA102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK | تحقيق |
|
IXFA16N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 16A TO-263AA | تحقيق |
|
IXFA14N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 14A TO-263AA | تحقيق |
|
IXFA12N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers