IXFA10N60P
IXFA10N60P
رقم القطعة:
IXFA10N60P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14751 Pieces
ورقة البيانات:
IXFA10N60P.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFA10N60P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFA10N60P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFA10N60P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5.5V @ 1mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-263 (IXFA)
سلسلة:HiPerFET™, PolarP2™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:740 mOhm @ 5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):200W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFA10N60P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1610pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:32nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 10A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات