يشترى IRFNL210BTA_FP001 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFNL210BTA_FP001
- رقم القطعة:
- IRFNL210BTA_FP001
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 1A TO-92L
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19923 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFNL210BTA_FP001.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFNL210BTA_FP001 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFNL210BTA_FP001 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-92L |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Box (TB) |
| حزمة / كيس: | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRFNL210BTA_FP001 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 225pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 9.3nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 1A (Tc) 3.1W (Ta) Through Hole TO-92L |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH 200V 1A TO-92L |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFNL210BTA_FP001
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STF40NF20 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 40A TO-220FP | تحقيق |
 |
APT29F100L | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 30A TO264 | تحقيق |
 |
AOI9N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 500V 9A TO251A | تحقيق |
 |
RU1C002ZPTCL | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F | تحقيق |
 |
IXTP140N055T2 | IXYS | MOSFET N-CH 55V 140A TO-220 | تحقيق |
 |
IRF6645 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ | تحقيق |
 |
IXTA02N250 | IXYS | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 | تحقيق |
 |
FQPF27N25 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F | تحقيق |
 |
STP130N10F3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220 | تحقيق |
 |
SPB11N60S5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A TO-263 | تحقيق |
 |
IXTU5N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252 | تحقيق |
|
IXTP05N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263 | تحقيق |
 |
IRLR3717TRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 120A DPAK | تحقيق |
 |
ZVN2110A | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 | تحقيق |
 |
FDP7030L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 | تحقيق |
 |
NTD5802NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK | تحقيق |
|
SQM85N15-19_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 85A TO263 | تحقيق |
 |
AOD200 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 14A TO252 | تحقيق |
 |
CSD19505KTT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3 | تحقيق |
|
FDMC7696 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 20A POWER33 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers