يشترى IRFHS9301TR2PBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFHS9301TR2PBF
- رقم القطعة:
- IRFHS9301TR2PBF
- وصف:
- MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15353 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFHS9301TR2PBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFHS9301TR2PBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFHS9301TR2PBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.4V @ 25µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-PQFN (2x2) |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 37 mOhm @ 7.8A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | 6-PowerVDFN |
| اسماء اخرى: | IRFHS9301TR2PBFDKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRFHS9301TR2PBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 580pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 13nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 30V 6A (Ta), 13A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET P-CH 30V 6A PQFN |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 6A (Ta), 13A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFHS9301TR2PBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN44N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227 | تحقيق |
 |
IRFHS9301TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 6A PQFN | تحقيق |
 |
IRFHS8342TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN | تحقيق |
|
IRFHS8242TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN | تحقيق |
 |
IRFHS9351TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN | تحقيق |
|
IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN | تحقيق |
 |
SI4620DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC | تحقيق |
|
IRFHS8342TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN | تحقيق |
 |
FQP4N80 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO-220 | تحقيق |
|
IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN | تحقيق |
 |
FDMC8854 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 15A POWER33 | تحقيق |
 |
IXFH86N30T | IXYS | MOSFET N-CH 300V 86A TO-247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog