يشترى IRFHS8342TRPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFHS8342TRPBF
- رقم القطعة:
- IRFHS8342TRPBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19769 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFHS8342TRPBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFHS8342TRPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFHS8342TRPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.35V @ 25µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-PQFN (2x2) |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 16 mOhm @ 8.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerVDFN |
| اسماء اخرى: | IRFHS8342TRPBF-ND IRFHS8342TRPBFTR SP001556608 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRFHS8342TRPBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 600pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 8.7nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 8.8A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (2x2) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 8.8A (Ta), 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFHS8342TRPBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFK32N60 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 32A TO-264AA | تحقيق |
 |
TPN8R903NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 20A TSON | تحقيق |
 |
IRLZ44STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | تحقيق |
 |
IRFHS9301TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 6A PQFN | تحقيق |
 |
AOK5N100L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 1000V 4A TO247 | تحقيق |
|
IRFHS8242TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN | تحقيق |
 |
IRFHS9351TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN | تحقيق |
|
IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN | تحقيق |
|
IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN | تحقيق |
|
IRFHS8342TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN | تحقيق |
|
IRFHS9301TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 6A PQFN | تحقيق |
 |
FDU8874 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 116A I-PAK | تحقيق |
 |
DMTH6004LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506 | تحقيق |
 |
STL66N3LLH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT56 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers