IRFD110PBF
IRFD110PBF
رقم القطعة:
IRFD110PBF
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18651 Pieces
ورقة البيانات:
IRFD110PBF.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFD110PBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFD110PBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IRFD110PBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:540 mOhm @ 600mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1.3W (Ta)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:4-DIP (0.300", 7.62mm)
اسماء اخرى:*IRFD110PBF
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:IRFD110PBF
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:180pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:8.3nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات