يشترى IRFD120 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFD120
- رقم القطعة:
- IRFD120
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14371 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFD120.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFD120 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFD120 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 270 mOhm @ 780mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.3W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| اسماء اخرى: | *IRFD120 IRFD121 IRFD122 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRFD120 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 360pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 16nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFD120
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFD123PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP | تحقيق |
|
IRFD120PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP | تحقيق |
 |
IRFD113 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP | تحقيق |
|
IRFD113PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP | تحقيق |
 |
IRF7467 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | تحقيق |
|
IRFD110PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP | تحقيق |
|
IRFD110 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP | تحقيق |
 |
BUK9612-55B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
FQD1N50TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK | تحقيق |
 |
IRL3716STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK | تحقيق |
 |
STH270N8F7-6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 | تحقيق |
|
IPB60R280C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263 | تحقيق |
|
SPB80N08S2L-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK | تحقيق |
 |
IXFH102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 | تحقيق |
 |
FDP8441_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers