IPD110N12N3GATMA1
IPD110N12N3GATMA1
رقم القطعة:
IPD110N12N3GATMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18329 Pieces
ورقة البيانات:
IPD110N12N3GATMA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD110N12N3GATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD110N12N3GATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPD110N12N3GATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3V @ 83µA (Typ)
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO252-3
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:11 mOhm @ 75A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):136W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:IPD110N12N3GATMA1TR
SP001127808
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:14 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPD110N12N3GATMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:4310pF @ 60V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:65nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 120V 75A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):120V
وصف:MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات