HGTP2N120CN
رقم القطعة:
HGTP2N120CN
الصانع:
Fairchild/ON Semiconductor
وصف:
IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12306 Pieces
ورقة البيانات:
1.HGTP2N120CN.pdf2.HGTP2N120CN.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل HGTP2N120CN ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك HGTP2N120CN عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى HGTP2N120CN مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):1200V
VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم:2.4V @ 15V, 2.6A
اختبار حالة:960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V
تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C:25ns/205ns
تحويل الطاقة:96µJ (on), 355µJ (off)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220AB
سلسلة:-
السلطة - ماكس:104W
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:HGTP2N120CN
نوع المدخلات:Standard
نوع IGBT:NPT
بوابة المسؤول:30nC
وصف موسع:IGBT NPT 1200V 13A 104W Through Hole TO-220AB
وصف:IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
الحالي - جامع نابض (آي سي إم):20A
الحالي - جامع (IC) (ماكس):13A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات