العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - إغبتس - واحدة > APT45GR65B2DU30
APT45GR65B2DU30
رقم القطعة:
APT45GR65B2DU30
الصانع:
Microsemi
وصف:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17201 Pieces
ورقة البيانات:
APT45GR65B2DU30.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APT45GR65B2DU30 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APT45GR65B2DU30 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى APT45GR65B2DU30 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):650V
VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم:2.4V @ 15V, 45A
اختبار حالة:433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C:15ns/100ns
تجار الأجهزة حزمة:T-MAX™ [B2]
سلسلة:-
عكس وقت الاسترداد (TRR):80ns
السلطة - ماكس:543W
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:TO-247-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:22 Weeks
الصانع الجزء رقم:APT45GR65B2DU30
نوع المدخلات:Standard
نوع IGBT:NPT
بوابة المسؤول:203nC
وصف موسع:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX™ [B2]
وصف:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
الحالي - جامع نابض (آي سي إم):224A
الحالي - جامع (IC) (ماكس):118A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لAPT45GR65B2DU30

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
APT45GR65B Image APT45GR65B Microsemi Corporation IGBT 650V 92A 357W TO-247 تحقيق
STGW25H120DF2 Image STGW25H120DF2 STMicroelectronics IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247 تحقيق
IXGH30N120BD1 Image IXGH30N120BD1 IXYS IGBT 1200V 50A TO247 تحقيق
IGP50N60TXKSA1 Image IGP50N60TXKSA1 Infineon Technologies IGBT 600V 100A 333W TO220-3 تحقيق
APT45GP120BG Image APT45GP120BG Microsemi Corporation IGBT 1200V 100A 625W TO247 تحقيق
IRG4PC40KDPBF Image IRG4PC40KDPBF Infineon Technologies IGBT 600V 42A 160W TO247AC تحقيق
APT45GR65BSCD10 Microsemi Corporation INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO تحقيق
APT45GP120J Image APT45GP120J Microsemi Corporation IGBT 1200V 75A 329W SOT227 تحقيق
APT45GR65SSCD10 Microsemi Corporation INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO تحقيق
APT45GP120JDQ2 Image APT45GP120JDQ2 Microsemi Corporation IGBT 1200V 75A 329W SOT227 تحقيق
IRG4PC40FDPBF Image IRG4PC40FDPBF Infineon Technologies IGBT 600V 49A 160W TO247AC تحقيق
IRGP4740DPBF Image IRGP4740DPBF Infineon Technologies IGBT 650V TO-247 تحقيق
APT45GP120B2DQ2G Image APT45GP120B2DQ2G Microsemi Corporation IGBT 1200V 113A 625W TMAX تحقيق
APT45M100J Image APT45M100J Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 تحقيق

Latest الأخبار