يشترى FCPF400N80Z مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FCPF400N80Z
- رقم القطعة:
- FCPF400N80Z
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH 800V 11A ZNR
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 20775 Pieces
- ورقة البيانات:
- FCPF400N80Z.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FCPF400N80Z ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FCPF400N80Z عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 1.1mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220F-3 |
| سلسلة: | SuperFET® II |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 400 mOhm @ 5.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 35.7W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 Full Pack |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 11 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | FCPF400N80Z |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2350pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 56nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 800V 11A (Tc) 35.7W (Tc) Through Hole TO-220F-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 800V |
| وصف: | MOSFET N-CH 800V 11A ZNR |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFCPF400N80Z
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FCPF400N80ZL1 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 11A TO220 | تحقيق |
 |
IXFN38N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B | تحقيق |
 |
STFI31N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 22A I2PAKFP | تحقيق |
 |
FCPF4300N80Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220-3 | تحقيق |
|
FCPF400N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 | تحقيق |
 |
NTTFS4C25NTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 27A U8FL | تحقيق |
 |
PSMN2R0-30YLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | تحقيق |
 |
IPB60R230P6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 16.8A 3TO263 | تحقيق |
 |
IXTT64N25P | IXYS | MOSFET N-CH 250V 64A TO-268 | تحقيق |
 |
BUK624R5-30C,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 90A DPAK | تحقيق |
 |
RCJ050N25TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 5A LPT | تحقيق |
 |
IRF6775MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET | تحقيق |
 |
SPI73N03S2L-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 73A I2PAK | تحقيق |
 |
FDB8878 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers