IXFN38N100P
IXFN38N100P
رقم القطعة:
IXFN38N100P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16088 Pieces
ورقة البيانات:
IXFN38N100P.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFN38N100P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFN38N100P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXFN38N100P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:6.5V @ 1mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-227B
سلسلة:HiPerFET™, PolarP2™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:210 mOhm @ 19A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1000W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT-227-4, miniBLOC
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXFN38N100P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:24000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:350nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 1000V (1kV) 38A 1000W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1000V (1kV)
وصف:MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:38A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات