EPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT
رقم القطعة:
EPC2107ENGRT
الصانع:
EPC
وصف:
TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14437 Pieces
ورقة البيانات:
EPC2107ENGRT.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل EPC2107ENGRT ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك EPC2107ENGRT عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى EPC2107ENGRT مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 100µA
تجار الأجهزة حزمة:Die
سلسلة:eGaN®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:320 mOhm @ 2A, 5V
السلطة - ماكس:-
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:Die
اسماء اخرى:917-EPC2107ENGRTR
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:EPC2107ENGRT
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:16pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:0.16nC @ 5V
نوع FET:3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET الميزة:GaNFET (Gallium Nitride)
وصف موسع:Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount Die
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:1.7A, 500mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات