يشترى EPC2030ENGR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 16mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| تجار الأجهزة حزمة: | Die |
| سلسلة: | eGaN® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 2.4 mOhm @ 30A, 5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | - |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | Die |
| اسماء اخرى: | 917-EPC2030ENGR |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | EPC2030ENGR |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1900pF @ 20V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 18nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 40V 31A (Ta) Surface Mount Die |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 40V |
| وصف: | TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 31A (Ta) |
| Email: | [email protected] |