يشترى DSEI12-06A مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DSEI12-06A
- رقم القطعة:
- DSEI12-06A
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 14A TO220AC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17193 Pieces
- ورقة البيانات:
- DSEI12-06A.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DSEI12-06A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DSEI12-06A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.7V @ 16A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AC |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 50ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-2 |
| اسماء اخرى: | DSEI1206A |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -40°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DSEI12-06A |
| وصف موسع: | Diode Standard 600V 14A Through Hole TO-220AC |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 600V 14A TO220AC |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 50µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 14A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDSEI12-06A
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DSEI120-12A | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247AD | تحقيق |
 |
DSEI19-06AS-TUB | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AA | تحقيق |
 |
DSEI12-10A | IXYS | DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220AC | تحقيق |
|
DSEI120-06A | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 77A TO247AD | تحقيق |
 |
6A10-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 1KV 6A R6 | تحقيق |
 |
AM01AWK | Sanken | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
BYV98-50-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 50V 4A SOD64 | تحقيق |
 |
SBRT05U10LP-7B | Diodes Incorporated | DIODE SBR X1-DFN1006-2 | تحقيق |
 |
LLSD103B-7 | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 30V 350MA MINMELF | تحقيق |
 |
DSI75-12B | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 110A DO203 | تحقيق |
|
DSEI19-06AS | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AA | تحقيق |
 |
SS8PH10-E3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A | تحقيق |
 |
1N3264 | Powerex Inc. | DIODE GEN PURP 250V 160A DO205AB | تحقيق |
|
DSEI12-12A | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 11A TO220AC | تحقيق |
 |
BAT46WJF | Nexperia USA Inc. | DIODE SCHOTTKY 100V 250MA SOD323 | تحقيق |
 |
VS-12FLR40S02 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers