يشترى DSEI12-10A مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DSEI12-10A
- رقم القطعة:
- DSEI12-10A
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220AC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13143 Pieces
- ورقة البيانات:
- DSEI12-10A.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DSEI12-10A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DSEI12-10A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 2.7V @ 12A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1000V (1kV) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AC |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 60ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-2 |
| اسماء اخرى: | DSEI1210A |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -40°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DSEI12-10A |
| وصف موسع: | Diode Standard 1000V (1kV) 12A Through Hole TO-220AC |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220AC |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 250µA @ 1000V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 12A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDSEI12-10A
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MURA205T3 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 2A SMA | تحقيق |
 |
DSEI19-06AS-TUB | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AA | تحقيق |
 |
DSEI12-12A | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 11A TO220AC | تحقيق |
 |
VS-85HF120 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1.2KV 85A DO203AB | تحقيق |
 |
1N3595TR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35 | تحقيق |
 |
DSEI120-12A | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247AD | تحقيق |
|
DSEI19-06AS | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AA | تحقيق |
 |
180NQ035-1 | SMC Diode Solutions | DIODE SCHOTTKY 35V 180A PRM1-1 | تحقيق |
 |
1PS79SB30,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD523 | تحقيق |
|
DSEI12-06A | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 14A TO220AC | تحقيق |
 |
SB560A-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO201AD | تحقيق |
 |
A180RM | Powerex Inc. | DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA | تحقيق |
 |
S1FLM-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SW 1000V DO-219AB | تحقيق |
|
DSEI120-06A | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 77A TO247AD | تحقيق |
 |
SGL41-40-E3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO213AB | تحقيق |
 |
1N1190AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 600V 40A DO5 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers