يشترى BUK7C2R2-60EJ مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BUK7C2R2-60EJ
- رقم القطعة:
- BUK7C2R2-60EJ
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK-7
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19147 Pieces
- ورقة البيانات:
- BUK7C2R2-60EJ.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BUK7C2R2-60EJ ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BUK7C2R2-60EJ عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 7-DDPAK |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | - |
| تبديد الطاقة (ماكس): | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| اسماء اخرى: | 934067492118 |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BUK7C2R2-60EJ |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V Surface Mount 7-DDPAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK-7 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBUK7C2R2-60EJ
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLZ34L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 30A TO-262 | تحقيق |
 |
DMN3730UFB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 750MA DFN | تحقيق |
 |
SIA450DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6 | تحقيق |
 |
IXFN20N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B | تحقيق |
 |
BUK7C4R5-100EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 169A D2PAK-7 | تحقيق |
|
BUK7C1R8-60EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK-7 | تحقيق |
|
BUK7C3R1-80EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 200A D2PAK-7 | تحقيق |
|
BUK7C1R4-40EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 200A D2PAK-7 | تحقيق |
 |
IXTU08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251 | تحقيق |
 |
IPP80N06S2L09AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | تحقيق |
 |
STWA40N95DK5 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 950 V 0.120 OHM TYP. 3 | تحقيق |
|
BUK7C1R2-40EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 200A D2PAK-7 | تحقيق |
 |
APT34N80B2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX | تحقيق |
 |
NTB18N06G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK | تحقيق |
|
BUK7C3R8-80EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 186A D2PAK-7 | تحقيق |
|
STN1NK80Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223 | تحقيق |
 |
IRFR4105ZTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK | تحقيق |
|
AUIRF3710ZS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK | تحقيق |
|
IRLR8259TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 57A DPAK | تحقيق |
|
BUK7C5R4-100EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 147A D2PAK-7 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers