يشترى BSS169L6327HTSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSS169L6327HTSA1
- رقم القطعة:
- BSS169L6327HTSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17861 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSS169L6327HTSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSS169L6327HTSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSS169L6327HTSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.8V @ 50µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT23-3 |
| سلسلة: | SIPMOS® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 360mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | BSS169 L6327 BSS169 L6327-ND SP000247299 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BSS169L6327HTSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 68pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 2.8nC @ 7V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Depletion Mode |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 170mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSS169L6327HTSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSS169H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 | تحقيق |
 |
IRL1404PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 160A TO-220AB | تحقيق |
 |
AOTF11C60PL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A | تحقيق |
|
BSS169L6906HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | تحقيق |
|
BSS169H6906XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 | تحقيق |
 |
IRFHM3911TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A PQFN | تحقيق |
|
BSS169 E6906 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | تحقيق |
 |
IRFS11N50ATRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | تحقيق |
 |
SQJ474EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 26A SO8 | تحقيق |
 |
STP85NF55 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | تحقيق |
|
BSS169 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | تحقيق |
 |
STU8NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 7A IPAK | تحقيق |
 |
SUP90220E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 64A TO220AB | تحقيق |
 |
IRF7451 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers