يشترى BSS169H6327XTSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSS169H6327XTSA1
- رقم القطعة:
- BSS169H6327XTSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16939 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSS169H6327XTSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSS169H6327XTSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSS169H6327XTSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.8V @ 50µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT23-3 |
| سلسلة: | SIPMOS® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 360mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | BSS169 H6327 BSS169 H6327-ND BSS169 H6327TR BSS169 H6327TR-ND SP000702572 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BSS169H6327XTSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 68pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 2.8nC @ 7V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Depletion Mode |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 170mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSS169H6327XTSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSS169L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | تحقيق |
 |
RJK5020DPK-00#T0 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 40A TO3P | تحقيق |
|
BSS169L6906HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | تحقيق |
|
BSS169H6906XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 | تحقيق |
|
BSS169 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | تحقيق |
 |
IXFQ26N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P | تحقيق |
 |
IRF9Z30PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 50V 18A TO-220AB | تحقيق |
 |
AOD516_002 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 18A | تحقيق |
 |
IRF6610TR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET | تحقيق |
 |
IRLIB9343PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 14A TO220FP | تحقيق |
|
BSS169 E6906 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | تحقيق |
 |
DMP2104LP-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN | تحقيق |
 |
STP110N55F6 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 55V 110A TO-220 | تحقيق |
|
IRFR120ZTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog