يشترى BSS138P,215 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSS138P,215
- رقم القطعة:
- BSS138P,215
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 360MA TO-236AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15365 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSS138P,215.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSS138P,215 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSS138P,215 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-236AB (SOT23) |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.6 Ohm @ 300mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 350mW (Ta), 1.14W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | 1727-1142-2 568-10308-2 568-10308-2-ND 934064988215 BSS138P,215-ND BSS138P215 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BSS138P,215 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 50pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.8nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 360mA (Ta) 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 360MA TO-236AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 360mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSS138P,215
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSS138BKS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP | تحقيق |
 |
BSS138BK,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V TO-236AB | تحقيق |
|
BSS138AKAR | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-236AB | تحقيق |
 |
BSS138PW,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323 | تحقيق |
 |
IXTP4N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 4A TO-220 | تحقيق |
 |
NTMFS5C468NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V SO8FL | تحقيق |
 |
STF3N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP | تحقيق |
|
BSS138PS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP | تحقيق |
|
BSS138BKW,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V SOT323 | تحقيق |
 |
IRF7210TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IXFQ24N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 24A TO-3P | تحقيق |
 |
IXTT75N10L2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 75A TO268 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers