يشترى IXFQ24N60X مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFQ24N60X
- رقم القطعة:
- IXFQ24N60X
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 24A TO-3P
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15146 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFQ24N60X.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFQ24N60X ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFQ24N60X عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 2.5mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-3P |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 175 mOhm @ 12A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 400W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFQ24N60X |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1910pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 47nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 24A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-3P |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 24A TO-3P |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 24A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFQ24N60X
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFQ24N50P2 | IXYS | 500V POLAR2 HIPERFETS | تحقيق |
 |
IPC100N04S5L1R5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN | تحقيق |
|
IXFQ24N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P | تحقيق |
|
IXFQ20N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P | تحقيق |
 |
NTD5865N-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 43A DPAK | تحقيق |
|
IXFQ26N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P | تحقيق |
 |
IRLI2910 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP | تحقيق |
 |
IXFQ23N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3) | تحقيق |
 |
SI2301-TP | Micro Commercial Co | MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23 | تحقيق |
|
IXFQ26N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P | تحقيق |
 |
NTD2955-1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 12A IPAK | تحقيق |
 |
DMG4413LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L | تحقيق |
 |
AOTF7S60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 7A TO220F | تحقيق |
|
IXFQ21N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P | تحقيق |
|
IXFQ22N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 22A TO3P | تحقيق |
|
IXFQ28N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 28A TO3P | تحقيق |
 |
AOD4102 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 19A TO-252 | تحقيق |
|
IXFQ26N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-30 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers