يشترى BSO330N02KGFUMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSO330N02KGFUMA1
- رقم القطعة:
- BSO330N02KGFUMA1
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12796 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSO330N02KGFUMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSO330N02KGFUMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSO330N02KGFUMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.2V @ 20µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-DSO-8 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 1.4W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | BSO330N02K G BSO330N02K G-ND BSO330N02K GINTR BSO330N02K GINTR-ND SP000380284 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | BSO330N02KGFUMA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 730pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 4.9nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.4A 1.4W Surface Mount PG-DSO-8 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 5.4A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSO330N02KGFUMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FD6M043N08 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15 | تحقيق |
 |
CSD87350Q5D | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON | تحقيق |
 |
ALD1101PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP | تحقيق |
 |
APTM50DHM38G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6 | تحقيق |
 |
IXTL2X180N10T | IXYS | MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK | تحقيق |
 |
SI4908DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IRF8513PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC | تحقيق |
 |
FDMS3620S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN | تحقيق |
 |
FDC8602 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT | تحقيق |
 |
SP8M7TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC | تحقيق |
 |
SIA922EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6 | تحقيق |
 |
VEC2616-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 | تحقيق |
 |
2N7002DW-TP | Micro Commercial Co | MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363 | تحقيق |
 |
BUK9K17-60EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 26A 56LFPAK | تحقيق |
 |
FW344A-TL-2W | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers