يشترى IXTL2X180N10T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTL2X180N10T
- رقم القطعة:
- IXTL2X180N10T
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12846 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTL2X180N10T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTL2X180N10T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTL2X180N10T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | ISOPLUSi5-Pak™ |
| سلسلة: | Trench™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 7.4 mOhm @ 50A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 150W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | ISOPLUSi5-Pak™ |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXTL2X180N10T |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 6900pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 151nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Standard |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 100A 150W Through Hole ISOPLUSi5-Pak™ |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 100A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTL2X180N10T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FD6M043N08 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15 | تحقيق |
 |
IXTL2X200N085T | IXYS | MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK | تحقيق |
 |
IXTL2N450 | IXYS | MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK | تحقيق |
 |
SIA922EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6 | تحقيق |
 |
STL65DN3LLH5 | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 65A POWERFLAT | تحقيق |
 |
IRF8513PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC | تحقيق |
 |
2N7002DW-TP | Micro Commercial Co | MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363 | تحقيق |
 |
IXTL2X240N055T | IXYS | MOSFET 2N-CH 55V 140A ISOPLUS I5 | تحقيق |
 |
BUK9K17-60EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 26A 56LFPAK | تحقيق |
 |
FDC8602 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT | تحقيق |
 |
VEC2616-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 | تحقيق |
 |
CSD87350Q5D | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON | تحقيق |
|
NX3008CBKS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N/P-CH 30V 6TSSOP | تحقيق |
 |
SP8M7TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC | تحقيق |
|
CSD75204W15 | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA | تحقيق |
|
IXTL2X220N075T | IXYS | MOSFET 2N-CH 75V 120A I5-PAK | تحقيق |
 |
DMT3020LFDB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020 | تحقيق |
 |
SI4963BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SI7958DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
ZXMN6A09DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers