يشترى BSL316CH6327XTSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSL316CH6327XTSA1
- رقم القطعة:
- BSL316CH6327XTSA1
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14225 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSL316CH6327XTSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSL316CH6327XTSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSL316CH6327XTSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 3.7µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TSOP6-6 |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 160 mOhm @ 1.4A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 500mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| اسماء اخرى: | BSL316CH6327XTSA1-ND BSL316CH6327XTSA1TR SP001101010 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BSL316CH6327XTSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 282pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.6nC @ 5V |
| نوع FET: | N and P-Channel Complementary |
| FET الميزة: | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 1.4A, 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.4A, 1.5A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSL316CH6327XTSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NX3008CBKV,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N/P-CH 30V SOT666 | تحقيق |
 |
AO9926BL_101 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 8SOIC | تحقيق |
 |
BSL315PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 1.5A TSOP-6 | تحقيق |
 |
AON5802A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6-DFN | تحقيق |
 |
CSD85302L | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 20V 5A | تحقيق |
 |
SI7844DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
BSL316CL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V TSOP-6 | تحقيق |
|
SQJ202EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO | تحقيق |
|
BSL314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP | تحقيق |
|
BSL314PEL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP | تحقيق |
 |
APTM120DU15G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog