SQJ202EP-T1_GE3
SQJ202EP-T1_GE3
رقم القطعة:
SQJ202EP-T1_GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13627 Pieces
ورقة البيانات:
SQJ202EP-T1_GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SQJ202EP-T1_GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SQJ202EP-T1_GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SQJ202EP-T1_GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
سلسلة:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:6.5 mOhm @ 15A, 10V
السلطة - ماكس:27W, 48W
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:PowerPAK® SO-8 Dual
اسماء اخرى:SQJ202EP-T1_GE3TR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:18 Weeks
الصانع الجزء رقم:SQJ202EP-T1_GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:975pF @ 6V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:22nC @ 10V
نوع FET:2 N-Channel (Dual)
FET الميزة:Standard
وصف موسع:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 20A, 60A 27W, 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):12V
وصف:MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:20A, 60A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات