العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > BLA6H0912-500,112
BLA6H0912-500,112
BLA6H0912-500,112
رقم القطعة:
BLA6H0912-500,112
الصانع:
Ampleon
وصف:
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13460 Pieces
ورقة البيانات:
BLA6H0912-500,112.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLA6H0912-500,112 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLA6H0912-500,112 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BLA6H0912-500,112 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:50V
الجهد - تقييمه:100V
نوع الترانزستور:LDMOS
تجار الأجهزة حزمة:CDFM2
سلسلة:-
مخرج قوي:450W
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:SOT634A
اسماء اخرى:568-7545
934062292112
BLA6H0912-500,112-ND
BLA6H0912500112
الضوضاء الشكل:-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:13 Weeks
الصانع الجزء رقم:BLA6H0912-500,112
ربح:17dB
تردد:960MHz ~ 1.22GHz
وصف موسع:RF Mosfet LDMOS 50V 100mA 960MHz ~ 1.22GHz 17dB 450W CDFM2
وصف:RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A
التصويت الحالي:54A
الحالي - اختبار:100mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لBLA6H0912-500,112

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
BLA6H0912L-1000U Image BLA6H0912L-1000U Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A تحقيق
MRF5S9070MR1 NXP USA Inc. FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 تحقيق
BLA6H0912LS-1000U Image BLA6H0912LS-1000U Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B تحقيق
375-501N21A-00 Image 375-501N21A-00 IXYS RF MOSFET N-CHANNEL DE375 تحقيق
BLA6H1011-600,112 Image BLA6H1011-600,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A تحقيق
J210_D27Z Fairchild/ON Semiconductor JFET N-CH 25V 15MA TO92 تحقيق
MRF7S24250NR3 NXP USA Inc. TRANS RF LDMOS 250W 32V تحقيق
PTFA211801EV5T350XWSA1 Infineon Technologies IC RF FET LDMOS H-36260-2 تحقيق
BLM8G0710S-45ABGY Image BLM8G0710S-45ABGY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12122 تحقيق
AFV121KGSR5 Image AFV121KGSR5 NXP USA Inc. IC TRANS RF LDMOS تحقيق
MRFG35020AR5 Image MRFG35020AR5 NXP USA Inc. FET RF 15V 3.5GHZ NI-360 تحقيق
ARF466FL Microsemi Corporation RF PWR MOSFET 1000V 13A تحقيق

Latest الأخبار