يشترى AFV121KHSR5 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
AFV121KHSR5
- رقم القطعة:
- AFV121KHSR5
- وصف:
- IC TRANS RF LDMOS
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13134 Pieces
- ورقة البيانات:
- AFV121KHSR5.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل AFV121KHSR5 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك AFV121KHSR5 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 112V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | NI-1230-4S |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 1000W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | NI-1230-4S |
| اسماء اخرى: | 935320778178 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | AFV121KHSR5 |
| ربح: | 19.6dB |
| تردد: | 960MHz ~ 1.22GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 960MHz ~ 1.22GHz 19.6dB 1000W NI-1230-4S |
| وصف: | IC TRANS RF LDMOS |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAFV121KHSR5
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF8VP13350GNR3 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 350W 50V | تحقيق |
 |
BLF8G20LS-220J | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.9DB SOT502B | تحقيق |
 |
AFV121KGSR5 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
AFV121KHR5 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
MRF7S15100HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.51GHZ NI780 | تحقيق |
 |
BLF278/01,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1 | تحقيق |
 |
NE5550234-AZ | CEL | FET RF 30V 900MHZ 3MINIMOLD | تحقيق |
 |
NE4210S01 | CEL | HJ-FET 13DB S01 | تحقيق |
|
MRF9045NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ TO272-2 | تحقيق |
 |
PTFA071701EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 170W H36248-2 | تحقيق |
|
PTFA212401E V4 | Infineon Technologies | FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 | تحقيق |
 |
BLS7G2730L-200PU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 12DB SOT539A | تحقيق |
 |
BLC8G27LS-210PVZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog