يشترى AFT23S160W02GSR3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
AFT23S160W02GSR3
- رقم القطعة:
- AFT23S160W02GSR3
- وصف:
- FET RF 65V 2.4GHZ
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18844 Pieces
- ورقة البيانات:
- AFT23S160W02GSR3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل AFT23S160W02GSR3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك AFT23S160W02GSR3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | NI-780S-2 Gull Wing |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 45W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | NI-780S-2 GW |
| اسماء اخرى: | 935315216128 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | AFT23S160W02GSR3 |
| ربح: | 17.9dB |
| تردد: | 2.4GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.1A 2.4GHz 17.9dB 45W NI-780S-2 Gull Wing |
| وصف: | FET RF 65V 2.4GHZ |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 1.1A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAFT23S160W02GSR3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G22LS-180PN:11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B | تحقيق |
 |
MRF9045LR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ NI-360 | تحقيق |
 |
CGH40006P | Cree/Wolfspeed | FET RF 84V 6GHZ 440109 | تحقيق |
|
AFT23S160W02SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.4GHZ NI780S-2 | تحقيق |
|
AFT23S170-13SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.4GHZ NI780S-2L4S | تحقيق |
|
AFT23H160-25SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
BLF7G24LS-160P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B | تحقيق |
 |
PTF140451E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-30265 | تحقيق |
|
AFT23H200-4S2LR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4 | تحقيق |
 |
SD2942 | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M244 | تحقيق |
 |
MRFE6VP61K25HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 | تحقيق |
|
ON5451,518 | NXP USA Inc. | MOSFET RF 20SOIC | تحقيق |
|
BLF8G22LS-270U | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B | تحقيق |
|
MRF5S19090HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog