يشترى AFT23H200-4S2LR6 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
AFT23H200-4S2LR6
- رقم القطعة:
- AFT23H200-4S2LR6
- وصف:
- FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13805 Pieces
- ورقة البيانات:
- AFT23H200-4S2LR6.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل AFT23H200-4S2LR6 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك AFT23H200-4S2LR6 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | NI-1230-4LS2L |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 45W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | NI-1230-4LS2L |
| اسماء اخرى: | 935311216128 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | AFT23H200-4S2LR6 |
| ربح: | 15.3dB |
| تردد: | 2.3GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 500mA 2.3GHz 15.3dB 45W NI-1230-4LS2L |
| وصف: | FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAFT23H200-4S2LR6
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF888B,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A | تحقيق |
 |
MRF6S18100NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ TO2724 | تحقيق |
 |
PTRA093302DCV1R2XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 330W H-49248H-4 | تحقيق |
 |
AFT23S170-13SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.4GHZ NI780S-2L4S | تحقيق |
|
AFT23H160-25SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
BLP8G10S-45PGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP | تحقيق |
 |
MRF7S27130HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.7GHZ NI-780 | تحقيق |
|
AFT23S160W02GSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.4GHZ | تحقيق |
 |
BLF7G27L-100,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A | تحقيق |
 |
ARF468AG | Microsemi Corporation | RF MOSFET (VDMOS) | تحقيق |
|
AFT23S160W02SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.4GHZ NI780S-2 | تحقيق |
 |
ON5257,215 | NXP USA Inc. | MOSFET RF SOT23 TO-236AB | تحقيق |
|
MRF7S38010HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 3.6GHZ NI-400 | تحقيق |
|
BLF8G24L-200P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539A | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog