بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Winbond Electronics Corporation is a memory IC company engaged in design, manufacturing and sales service to provide its global customers top quality memory solutions. Winbond’s product lines include Code Storage Flash Memory, Serial and Parallel NAND, Specialty DRAM and Mobile DRAM.
Winbond products are widely used by companies in the IoT vertical markets such as computing, connected multimedia devices, automobile, networking systems and industrial. Winbond offers automotive and Industrial –Plus grade Flash and DRAM products with longevity support. Winbond has approximately 2,200 employees worldwide, that includes a 12-inch FAB at its headquarters in Taichung, Taiwan.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W25Q32BVZPIG IC FLASH 32MBIT 104MHZ 8WSON تحقيق
W979H6KBVX2E TR Image W979H6KBVX2E TR IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 134VFBGA تحقيق
W25X16VSFIG IC FLASH 16MBIT 75MHZ 16SOIC تحقيق
W25X16VZPIG T&R IC FLASH 16MBIT 75MHZ 8WSON تحقيق
W25Q16JVZPIQ TR IC FLASH 16MBIT 133MHZ 8WSON تحقيق
W25Q80EWBYIG TR IC FLASH 8MBIT 80MHZ 8WLCSP تحقيق
W632GU8KB-15 TR Image W632GU8KB-15 TR IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 78BGA تحقيق
W25Q128FVEIP IC FLASH 128MBIT 8WSON تحقيق
W972GG8JB-3 TR IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 60BGA تحقيق
W972GG8JB-25 IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60WBGA تحقيق
W29GL256PH9T Image W29GL256PH9T IC FLASH 256MBIT 90NS 56TSOP تحقيق
W9816G6IH-6I Image W9816G6IH-6I IC SDRAM 16MBIT 166MHZ 50TSOP تحقيق
W25Q128JVBIQ Image W25Q128JVBIQ IC FLASH 128MBIT 104MHZ 24TFBGA تحقيق
W632GG8KB-11 TR Image W632GG8KB-11 TR IC SDRAM 2GBIT 933MHZ 78BGA تحقيق
W25Q128FVPIG TR IC FLASH 128MBIT 104MHZ 8WSON تحقيق
W9812G6JB-6I TR Image W9812G6JB-6I TR IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 54TFBGA تحقيق
W25Q32BVSFIG IC FLASH 32MBIT 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q64JVSFIM TR IC FLASH 64MBIT SPI 16SOIC تحقيق
W29GL256SL9T Image W29GL256SL9T IC FLASH 256MBIT 90NS 56TSOP تحقيق
W25Q256JVBIM IC FLASH 256MBIT 24TFBGA تحقيق
W25Q128FVPIQ IC FLASH 128MBIT 104MHZ 8WSON تحقيق
W29GL128CL9C IC FLASH 128MBIT 90NS 56TFBGA تحقيق
W25X80AVSSIG IC FLASH 8MBIT 100MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q16JVSNIQ IC FLASH 16MBIT 133MHZ 8SOIC تحقيق
W29GL512SH9T Image W29GL512SH9T IC FLASH 512MBIT 90NS 56TSOP تحقيق
W29N02GVSIAA Image W29N02GVSIAA IC FLASH 2GBIT 25NS 48TSOP تحقيق
W971GG6SB-18 Image W971GG6SB-18 IC SDRAM 1GBIT 533MHZ 84BGA تحقيق
W25P16VSFIG IC FLASH 16MBIT 50MHZ 16SOIC تحقيق
W29GL128CH9B Image W29GL128CH9B IC FLASH 128MBIT 90NS 64LFBGA تحقيق
W25Q64FVSSIG TR IC FLASH 64MBIT 104MHZ 8SOIC تحقيق
W29GL256SL9T TR Image W29GL256SL9T TR IC FLASH 256MBIT 90NS 56TSOP تحقيق
W25Q32FVSFIG TR IC FLASH 32MBIT 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q16DVUZIG TR Image W25Q16DVUZIG TR IC FLASH 16MBIT 104MHZ 8USON تحقيق
W632GG8KB-12 Image W632GG8KB-12 IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 78BGA تحقيق
W25Q64JVZPIQ TR IC FLASH 64MBIT 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q256JVEIQ IC FLASH 256MBIT 8WSON تحقيق
W25Q80BLZPIG TR IC FLASH 8MBIT 80MHZ 8WSON تحقيق
W9425G6KH-5I Image W9425G6KH-5I IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP تحقيق
W25Q16JVSSIQ IC FLASH 16MBIT 133MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q16DVSSIG TR IC FLASH 16MBIT 104MHZ 8SOIC تحقيق
W98AD6KBGX6I 1GB MSDR X16 166MHZ IND تحقيق
W25Q64FVSFIG TR IC FLASH 64MBIT 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q16DVUUIG TR Image W25Q16DVUUIG TR IC FLASH 16MBIT 104MHZ 8USON تحقيق
W972GG8JB25I TR IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60WBGA تحقيق
W25Q16DWZPIG TR IC FLASH 16MBIT 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q16DWZPIG IC FLASH 16MBIT 104MHZ 8WSON تحقيق
W25X20VSNIG T&R IC FLASH 2MBIT 75MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q16DVZPIQ IC FLASH 16MBIT 104MHZ 8WSON تحقيق
W947D2HBJX6E Image W947D2HBJX6E IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90TFBGA تحقيق
W25Q128JVBIM IC FLASH 128MBIT 24TFBGA تحقيق
سجلات 949
سابق456789101112131415161718التالينهاية