يشترى ZXMN10A08DN8TA مع BYCHPS
شراء مع ضمان
ZXMN10A08DN8TA
- رقم القطعة:
- ZXMN10A08DN8TA
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19551 Pieces
- ورقة البيانات:
- ZXMN10A08DN8TA.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل ZXMN10A08DN8TA ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك ZXMN10A08DN8TA عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA (Min) |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOP |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 250 mOhm @ 3.2A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 1.25W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | ZXMN10A08DN8TATR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | ZXMN10A08DN8TA |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 405pF @ 50V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 7.7nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.6A 1.25W Surface Mount 8-SOP |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.6A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لZXMN10A08DN8TA
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN10A08GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2A SOT223 | تحقيق |
 |
ZXMN10A07FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 | تحقيق |
 |
ZXMN10A08DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC | تحقيق |
|
ZXMN10A11GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 | تحقيق |
 |
ZXMN10B08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6 | تحقيق |
 |
ZXMN10A09KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 5A DPAK | تحقيق |
|
ZXMN10A08E6TC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6 | تحقيق |
|
ZXMN10A08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6 | تحقيق |
|
ZXMN10A25K | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK | تحقيق |
|
ZXMN10A07FTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 | تحقيق |
 |
ZXMN10A07ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers