يشترى ZHCS1000QTA مع BYCHPS
شراء مع ضمان
ZHCS1000QTA
- رقم القطعة:
- ZHCS1000QTA
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOT23
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13171 Pieces
- ورقة البيانات:
- ZHCS1000QTA.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل ZHCS1000QTA ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك ZHCS1000QTA عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 425mV @ 1A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 40V |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23 |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 12ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | ZHCS1000QTA |
| وصف موسع: | Diode Schottky 40V 1A Surface Mount SOT-23 |
| نوع الصمام الثنائي: | Schottky |
| وصف: | DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOT23 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 100µA @ 30V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 1A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 25pF @ 30V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لZHCS1000QTA
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
1N3595UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 125V 150MA DO213 | تحقيق |
 |
BAS170WS-G3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD323 | تحقيق |
 |
GP10J-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL | تحقيق |
 |
CRNA20-1200 | Crydom Co. | DIODE GP 1.2KV 12.7A TO220AB | تحقيق |
 |
ZHCS1006TC | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 60V 900MA SOT23-3 | تحقيق |
|
ZHCS1006TA | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 60V 900MA SOT23-3 | تحقيق |
|
ZHCS1000TA | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOT23-3 | تحقيق |
 |
VS-30EPH06-N3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC | تحقيق |
 |
EP01CV0 | Sanken | DIODE GEN PURP 1KV 200MA AXIAL | تحقيق |
 |
60APU02 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC | تحقيق |
 |
RB060M-60TR | Rohm Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 60V 2A PMDU | تحقيق |
 |
JAN1N5614US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A D5A | تحقيق |
 |
VS-40HF80 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 800V 40A DO203AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog