يشترى VBO25-08NO2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VBO25-08NO2
- رقم القطعة:
- VBO25-08NO2
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- DIODE BRIDGE 31A 800V STD FO-A
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16976 Pieces
- ورقة البيانات:
- VBO25-08NO2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل VBO25-08NO2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك VBO25-08NO2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | 800V |
|---|---|
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.36V @ 55A |
| تكنولوجيا: | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة: | FO-A |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 4-Square, FO-A |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | QC Terminal |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | VBO25-08NO2 |
| وصف موسع: | Bridge Rectifier Single Phase 800V 38A QC Terminal FO-A |
| نوع الصمام الثنائي: | Single Phase |
| وصف: | DIODE BRIDGE 31A 800V STD FO-A |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 300µA @ 800V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 38A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVBO25-08NO2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CBRLD1-10 TR13 | Central Semiconductor Corp | RECT BRIDGE 1A 1KV 4LPDIP | تحقيق |
 |
VBO25-12NO2 | IXYS | DIODE BRIDGE 31A 1200V STD FO-A | تحقيق |
 |
GBPC5001W | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 100V 50A GBPC-W | تحقيق |
 |
KBL406-G | Comchip Technology | RECTIFIER BRIDGE 4A 600V KBL | تحقيق |
 |
GBLA06-M3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL | تحقيق |
 |
VS-26MB160A | Vishay Semiconductor Diodes Division | RECTIFIER BRIDGE 1600V 25A D-34A | تحقيق |
 |
GBPC15010T | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 1000V 15A GBPC-T/W | تحقيق |
|
VBO25-14NO2 | IXYS | DIODE BRIDGE 31A 1400V STD FO-A | تحقيق |
|
VBO25-12AO2 | IXYS | DIODE BRIDGE 31A 1200V AVAL FO-A | تحقيق |
|
VBO78-16NO7 | IXYS | DIODE BRIDGE 1600V 76A ECO-PAC2 | تحقيق |
 |
GBPC15005W | Fairchild/ON Semiconductor | RECT BRIDGE GPP 15A 50V GBPC-W | تحقيق |
 |
CDBHM250L-G | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 40V 2A MBS-2 | تحقيق |
|
B125C800G-E4/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE BRIDGE 0.9A 200V WOG | تحقيق |
|
VBO25-14AO2 | IXYS | DIODE BRIDGE 31A 1400V AVAL FO-A | تحقيق |
|
BR34 | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 400V 3A BR-3 | تحقيق |
|
VBO25-16AO2 | IXYS | BRIDGE RECT SGL PHASE 1600V 38A | تحقيق |
|
VBO25-16NO2 | IXYS | DIODE BRIDGE 31A 1600V AVAL FO-A | تحقيق |
 |
B125C1500G-E4/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE BRIDGE 1.5A 200V WOG | تحقيق |
 |
GBU6J-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 6A 600V GPP INLINE GBU | تحقيق |
 |
MB256W-BP | Micro Commercial Co | RECT BRIDGE 25A 600V WIRE LEADS | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers