يشترى TPW1R005PL,L1Q مع BYCHPS
شراء مع ضمان
TPW1R005PL,L1Q
- رقم القطعة:
- TPW1R005PL,L1Q
- الصانع:
- Toshiba Semiconductor
- وصف:
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12047 Pieces
- ورقة البيانات:
- TPW1R005PL,L1Q.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TPW1R005PL,L1Q ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TPW1R005PL,L1Q عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| فغس (ماكس): | - |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-DSOP Advance |
| سلسلة: | U-MOSIX-H |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 960mW (Ta), 170W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerWDFN |
| اسماء اخرى: | TPW1R005PL,L1Q(M TPW1R005PLL1QTR |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | TPW1R005PL,L1Q |
| نوع FET: | N-Channel |
| وصف موسع: | N-Channel 45V 300A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 45V |
| وصف: | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 300A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTPW1R005PL,L1Q
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN2A05N8TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC | تحقيق |
 |
DMN61D9UW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323 | تحقيق |
 |
BUK754R0-40C,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB | تحقيق |
 |
STB100NH02LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK | تحقيق |
|
BUK952R8-30B,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB | تحقيق |
 |
CSD15380F3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTAR | تحقيق |
 |
IXFH13N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 13A TO-247AD | تحقيق |
 |
ZVP3310FTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.075A SOT23-3 | تحقيق |
|
NTB85N03G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK | تحقيق |
 |
IRF7809ATR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IXFL30N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK | تحقيق |
 |
2SK3748-1E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 1500V 4A TO-2PF-3 | تحقيق |
|
IRF7342D2PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC | تحقيق |
|
NTB85N03 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK | تحقيق |
 |
ZXMN3A01ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89 | تحقيق |
 |
JAN2N7225 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH TO-254AA | تحقيق |
 |
TPW1R306PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | تحقيق |
 |
IPP60R190E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220 | تحقيق |
|
IRF610STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | تحقيق |
 |
SI7633DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SO | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers