TPN7R506NH,L1Q
TPN7R506NH,L1Q
رقم القطعة:
TPN7R506NH,L1Q
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18025 Pieces
ورقة البيانات:
TPN7R506NH,L1Q.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TPN7R506NH,L1Q ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TPN7R506NH,L1Q عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى TPN7R506NH,L1Q مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 200µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:8-TSON Advance (3.3x3.3)
سلسلة:U-MOSVIII-H
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:7.5 mOhm @ 13A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):700mW (Ta), 42W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-PowerVDFN
اسماء اخرى:TPN7R506NH,L1Q(M
TPN7R506NHL1QTR
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:TPN7R506NH,L1Q
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1800pF @ 30V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:22nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 60V 26A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):6.5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):60V
وصف:MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:26A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات