TJ40S04M3L(T6L1,NQ
رقم القطعة:
TJ40S04M3L(T6L1,NQ
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
MOSFET P-CH 40V 40A DPAK-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14000 Pieces
ورقة البيانات:
1.TJ40S04M3L(T6L1,NQ.pdf2.TJ40S04M3L(T6L1,NQ.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TJ40S04M3L(T6L1,NQ ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TJ40S04M3L(T6L1,NQ عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى TJ40S04M3L(T6L1,NQ مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3V @ 1mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:DPAK+
سلسلة:U-MOSVI
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:9.1 mOhm @ 20A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):68W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:TJ40S04M3L(T6L1NQ
TJ40S04M3LT6L1NQ
درجة حرارة التشغيل:175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:TJ40S04M3L(T6L1,NQ
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:4140pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:83nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 40V 40A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount DPAK+
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):40V
وصف:MOSFET P-CH 40V 40A DPAK-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:40A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات