TF412ST5G - ON Semiconductor - الترانزستورات - جفيتس TF412ST5G

TF412ST5G

رقم القطعة:: TF412ST5G

الصانع:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

وصف:: JFET N-CH 30V 0.1W SOT-883 XDFN3

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 16939 Pieces

ورقة البيانات:: TF412ST5G.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TF412ST5G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TF412ST5G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى TF412ST5G مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - القطع (VGS إيقاف) @ إيد:	180mV @ 1µA
الجهد - توزيع (V (BR) جهاز الأمن العام):	30V
تجار الأجهزة حزمة:	SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
سلسلة:	-
المقاومة - RDS (على):	-
السلطة - ماكس:	100mW
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	3-XFDFN
اسماء اخرى:	TF412ST5GOSTR
درجة حرارة التشغيل:	150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	18 Weeks
الصانع الجزء رقم:	TF412ST5G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	4pF @ 10V
نوع FET:	N-Channel
وصف موسع:	JFET N-Channel 1.2mA @ 10V 100mW Surface Mount SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	30V
وصف:	JFET N-CH 30V 0.1W SOT-883 XDFN3
الصرف الحالي (رقم) - الحد الأقصى:	10mA
الحالي - هجرة (فاعلية النظام) @ VDS (VGS = 0):	1.2mA @ 10V
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لTF412ST5G

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
J111,126	NXP USA Inc.	JFET N-CH 40V 400MW TO92-3	تحقيق
PN4118	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 40V 0.35W TO92	تحقيق
J111RLRPG	ON Semiconductor	JFET N-CH 35V 0.35W TO92	تحقيق
2N4392	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18	تحقيق
2N3820	Fairchild/ON Semiconductor	JFET P-CH 20V 0.35W TO92	تحقيق
MV2N5116	Microsemi Corporation	P CHANNEL JFET	تحقيق
2SK2145-BL(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 50V SMV	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار