TC58BVG0S3HBAI6
TC58BVG0S3HBAI6
رقم القطعة:
TC58BVG0S3HBAI6
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15168 Pieces
ورقة البيانات:
TC58BVG0S3HBAI6.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TC58BVG0S3HBAI6 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TC58BVG0S3HBAI6 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى TC58BVG0S3HBAI6 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - توريد:2.7 V ~ 3.6 V
تجار الأجهزة حزمة:67-VFBGA (6.5x8)
سرعة:25ns
سلسلة:Benand™
التعبئة والتغليف:Tray
حزمة / كيس:67-VFBGA
اسماء اخرى:TC58BVG0S3HBAI6JDH
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 85°C (TA)
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):3 (168 Hours)
نوع الذاكرة:Non-Volatile
حجم الذاكرة:1Gb (128M x 8)
تنسيق الذاكرة:EEPROM
الصانع الجزء رقم:TC58BVG0S3HBAI6
السطح البيني:Parallel
وصف:IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات