يشترى SUP85N03-3M6P-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SUP85N03-3M6P-GE3
- رقم القطعة:
- SUP85N03-3M6P-GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15927 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.SUP85N03-3M6P-GE3.pdf2.SUP85N03-3M6P-GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SUP85N03-3M6P-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SUP85N03-3M6P-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3.6 mOhm @ 22A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.1W (Ta), 78.1W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | SUP85N03-3M6P-GE3CT SUP85N03-3M6P-GE3CT-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SUP85N03-3M6P-GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3535pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 100nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 85A (Tc) 3.1W (Ta), 78.1W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 85A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSUP85N03-3M6P-GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SUP85N02-03-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB | تحقيق |
 |
CSD19502Q5BT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 80V 100A SON5X6 | تحقيق |
 |
TPCC8003-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON | تحقيق |
 |
STU7N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 800V 6A IPAK | تحقيق |
 |
NTLUS4C12NTBG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6 | تحقيق |
 |
IRFL9014 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223 | تحقيق |
|
SUP85N10-10-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB | تحقيق |
|
SUP85N03-04P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB | تحقيق |
|
SUP85N04-03-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 85A TO220AB | تحقيق |
 |
RQJ0303PGDQA#H6 | Renesas Electronics America | MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK | تحقيق |
 |
STB230NH03L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | تحقيق |
|
SUP85N15-21-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB | تحقيق |
 |
BSO301SPNTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO | تحقيق |
|
SUP85N10-10P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB | تحقيق |
|
SUP85N10-10-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB | تحقيق |
|
CSD17305Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 100A 8SON | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog