يشترى STW70N60M2-4 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STW70N60M2-4
- رقم القطعة:
- STW70N60M2-4
- الصانع:
- ST
- وصف:
- POWER MOSFET
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14966 Pieces
- ورقة البيانات:
- STW70N60M2-4.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STW70N60M2-4 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STW70N60M2-4 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| سلسلة: | MDmesh™ M2 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 40 mOhm @ 34A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 450W (Tc) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | STW70N60M2-4 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 5200pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 118nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 68A (Tc) 450W (Tc) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | POWER MOSFET |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 68A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTW70N60M2-4
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STW70N10F4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 65A TO-247 | تحقيق |
 |
TPCA8056-H,LQ(M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP-ADV | تحقيق |
|
STW70N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 68A TO247 | تحقيق |
 |
STD45P4LLF6AG | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 40V 50A DPAK | تحقيق |
 |
IXFT15N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 | تحقيق |
 |
NVMFS5C404NLWFAFT1G | ON Semiconductor | T6 40V HEFET | تحقيق |
|
STW70N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 66A | تحقيق |
|
2SK536-TB-E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 0.1A | تحقيق |
 |
BSO083N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO | تحقيق |
 |
IRFZ44ESTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK | تحقيق |
 |
IPA80R310CEXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V TO-220-3 | تحقيق |
 |
IPD30N08S2L-21 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 | تحقيق |
 |
SKI10123 | Sanken | MOSFET N-CH 100V 66A TO-263 | تحقيق |
 |
IRFR120ZTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK | تحقيق |
|
2SJ665-DL-E | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog