يشترى STGD7NB120S-1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STGD7NB120S-1
- رقم القطعة:
- STGD7NB120S-1
- الصانع:
- ST
- وصف:
- IGBT 1200V 10A 55W IPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12707 Pieces
- ورقة البيانات:
- STGD7NB120S-1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STGD7NB120S-1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STGD7NB120S-1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.1V @ 15V, 7A |
| اختبار حالة: | 960V, 7A, 1 kOhm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 570ns/- |
| تحويل الطاقة: | 15mJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | I-Pak |
| سلسلة: | PowerMESH™ |
| السلطة - ماكس: | 55W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | STGD7NB120S-1 |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | - |
| بوابة المسؤول: | 29nC |
| وصف موسع: | IGBT 1200V 10A 55W Through Hole I-Pak |
| وصف: | IGBT 1200V 10A 55W IPAK |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 20A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 10A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTGD7NB120S-1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXDH20N120D1 | IXYS | IGBT 1200V 38A 200W TO247AD | تحقيق |
 |
STGD7NC60HT4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 25A 70W DPAK | تحقيق |
 |
IXBT32N300 | IXYS | IGBT 3000V 80A 400W TO268 | تحقيق |
 |
SGP02N120XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 1200V 6.2A 62W TO220-3 | تحقيق |
 |
TIG062E8-TL-H | ON Semiconductor | IGBT 400V ECH8 | تحقيق |
|
STGD7NB120ST4 | STMicroelectronics | IGBT 1200V 10A 55W DPAK | تحقيق |
 |
IGW30N60TPXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 53A 200W TO247 | تحقيق |
 |
IXGH35N120C | IXYS | IGBT 1200V 70A 300W TO247AD | تحقيق |
 |
STGD7NB60ST4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 15A 55W DPAK | تحقيق |
 |
RGT50TS65DGC11 | Rohm Semiconductor | IGBT 650V 48A 174W TO-247N | تحقيق |
 |
IXGA16N60B2D1 | IXYS | IGBT 600V 40A 150W TO263 | تحقيق |
 |
FGB40N6S2 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 75A 290W TO263AB | تحقيق |
|
STGD7NB60KT4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 14A 70W DPAK | تحقيق |
 |
NGTB40N60IHLWG | ON Semiconductor | IGBT 600V 40A TO247 | تحقيق |
 |
STGW38IH130D | STMicroelectronics | IGBT 1300V 63A 250W TO247 | تحقيق |
 |
IXST40N60B2D1 | IXYS | IGBT 600V 48A TO268 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog